電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):MHY-25821

MHY-25821電化學(xué)作站采用浮地式，具有出色的穩(wěn)定性和度，的硬件和能善的軟件，為涉及能源、材料、生命、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于：

（1） 電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；

（2）電化學(xué)分析研究；

（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等）、能材料以及傳感器的性能研究；

（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；

（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件點(diǎn)

● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器

● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz

● 帶寬輸入阻抗的放大器

● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

● 率恒電位儀/恒電儀/零電阻電計(jì)

● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）

● 電控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至±5.0A）

● 電位分辨率：10μV，電分辨率：10pA（可延伸至100fA）

軟件點(diǎn)

① 數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等；

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電密度icorr，限擴(kuò)散電、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③ 定時(shí)測(cè)量

測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能， 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，提實(shí)驗(yàn)效率。

恒電位控制范圍：±10V
  恒電控制范圍：±2.0A
 
 電位控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
  電控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)
 
 電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
  電靈敏度：<10pA
 
 電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
  電量程：2A～200nA, 共8檔
 
 參比電輸入阻抗：1012Ω||20pF
  zui大輸出電：2.0A
 
 槽壓輸出：±21V
  電掃描增量：1mA @1A/mS
 
 CV和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s
  電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
 
 CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s
  DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
 
 SWV頻率：0.001～100KHz
  CV的zui小電位增量：0.075mV
 
 AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz
  電與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
 
 DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS
  低通濾波器 ：8段可編程
 
 通訊接口：USB2.0
  儀器重量：6.5Kg
 
 外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)
 
 

 信號(hào)發(fā)生器
 
 頻率響應(yīng)：10μHz～115KHz
  交信號(hào)幅值：1mV～2500mV
 
 頻率度：0.005%
  直偏壓：-10V～+10V
 
 DDS輸出阻抗：50Ω
  波形：正弦波，三角波，方波
 
 正弦波失真率：<1%
  掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
 
 信號(hào)分析器
 
 zui大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S
  測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
 
 zui小積分時(shí)間：10mS 或者個(gè)循環(huán)的zui長(zhǎng)時(shí)間
 
 
 直偏置補(bǔ)償
 
 電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V
  電補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
 
 帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8可調(diào)
 
 

能方法  DP-CS120  MHY-25821  DP-CS300  DP-CS310  DP-CS350  DP-CS360 
穩(wěn)態(tài)化   開路電位測(cè)量（OCP）      ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 恒電位化（i-t曲線）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 恒電化    ●  ●  ●  ●  ● 
 動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 動(dòng)電掃描（DGP）    ●  ●  ●  ●  ● 
暫態(tài)化   意恒電位階梯波  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 意恒電階梯波    ●  ●  ●  ●  ● 
 恒電位階躍（VSTEP）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 恒電階躍（ISTEP）    ●  ●  ●  ●  ● 
 快速電位脈沖            ● 
 快速電脈沖            ● 
計(jì)時(shí)分析   計(jì)時(shí)電位法（CP）      ●  ●  ●  ● 
 計(jì)時(shí)電法（CA）      ●  ●  ●  ● 
 計(jì)時(shí)電量法（CC）      ●  ●  ●  ● 
伏安分析   線性掃描伏安法（LSV）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 線性循環(huán)伏安法（CV）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 階梯循環(huán)伏安法（SCV）      ●    ●  ● 
 方波伏安法（SWV）      ●    ●  ● 
 差分脈沖伏安法（DPV）      ●    ●  ● 
 常規(guī)脈沖伏安法（NPV）      ●    ●  ● 
 常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）      ●    ●  ● 
 交伏安法（ACV）      ●    ●  ● 
 二次諧波交伏安（SHACV）      ●    ●  ● 
溶出伏安   恒電位溶出伏安      ●    ●  ● 
 線性溶出伏安      ●    ●  ● 
 階梯溶出伏安      ●    ●  ● 
 方波溶出伏安      ●    ●  ● 
交阻抗   電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描        ●  ●  ● 
 電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描        ●  ●  ● 
 電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）        ●  ●  ● 
腐蝕測(cè)量   循環(huán)化曲線（CPP）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 線性化曲線（LPR）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 電化學(xué)噪聲（EN）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）*  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
電池測(cè)量   電池充放電測(cè)試    ●  ●  ●  ●  ● 
 恒電充放電    ●  ●  ●  ●  ● 
光電測(cè)量   電致調(diào)光測(cè)量 *          ●  ● 
 光譜儀測(cè)量 *          ●  ● 
擴(kuò)展測(cè)量   盤環(huán)電測(cè)試 *      ●  ●  ●  ● 
 數(shù)字記錄儀  ●  ●  ●  ●  ●  ● 
 波形發(fā)生器      ●  ●  ●  ● 
 圓盤電機(jī)控制      ●  ●  ●  ● 

 
注： * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。
* 光電測(cè)量能用戶選配。
* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。
 
儀器配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）測(cè)試與分析軟件1套
3）用電解池（含鹽橋和排氣管）1套
4）輔助、參比、作電各1支
5）模擬電解池1個(gè)
6）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7）電電纜線1條
8）電架（選配 *）
9）屏蔽箱（選配 *）
10）電腦（選配 *）